N-tip M2 Monocrystalline Silicon Wafer Speċifikazzjoni

N-tip M2 Monocrystalline Silicon Wafer Speċifikazzjoni

Il-wejfer tas-silikon monokristallin tat-tip N-M2 għandu disinn kważi-kwadru 156.75 × 156.75 mm b'kantunieri tond, jibbilanċja l-kompatibilità ma 'tqassim tal-moduli standard u qbid tad-dawl ottimizzat. Prodott bl-użu tal-metodu Cz u d-doping tal-fosfru, joffri purità ta 'materjal għoli,<100>orjentazzjoni, u densità baxxa ta 'diżlokazzjoni (inqas minn jew daqs 500 cm⁻²). Bil-konduttività tat-tip N, firxa wiesgħa ta 'reżistività (0.2-12 ω · cm), u ħajja għolja ta' trasportatur ta 'minoranza għolja (akbar minn jew daqs 1000 µs), hija tappoġġja teknoloġiji ta' ċelloli b'effiċjenza għolja bħal Topcon u HJT. Il-wejfer M2 jibqa 'format ippruvat u affidabbli għal prestazzjoni stabbli f'applikazzjonijiet PV mainstream.
Share to
Ibgħat l-inkjesta
Chat Now
Deskrizzjoni
Parametri tekniċi

CZ silicon crystal growth

 

p-type-182mm-monocrystalline-solar-wafer12427330843

 

Il-wejfer tas-silikon monokristallin tat-tip N-M2 għandu disinn kważi-kwadru 156.75 × 156.75 mm b'kantunieri tond, jibbilanċja l-kompatibilità ma 'tqassim tal-moduli standard u qbid tad-dawl ottimizzat. Prodott bl-użu tal-metodu Cz u d-doping tal-fosfru, joffri purità ta 'materjal għoli,<100>orjentazzjoni, u densità baxxa ta 'diżlokazzjoni (inqas minn jew daqs 500 cm⁻²). Bil-konduttività tat-tip N, firxa wiesgħa ta 'reżistività (0.2-12 ω · cm), u ħajja għolja ta' trasportatur ta 'minoranza għolja (akbar minn jew daqs 1000 µs), hija tappoġġja teknoloġiji ta' ċelloli b'effiċjenza għolja bħal Topcon u HJT. Il-wejfer M2 jibqa 'format ippruvat u affidabbli għal prestazzjoni stabbli f'applikazzjonijiet PV mainstream.

 

1. Propjetajiet tal-materjal

 

Proprjetà

Speċifikazzjoni

Metodu ta 'spezzjoni

Metodu ta 'tkabbir

Cz

 

Kristallinità

Monokristallin

Tekniki tal-inċiżjoni preferenzjali(ASTM F47-88)

Tip ta 'konduttività

Tip n

Napson EC-80TPN

Dopant

Fosfru

-

Konċentrazzjoni ta 'ossiġnu [OI]

Inqas minn jew daqs8e +17 at / cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Konċentrazzjoni tal-Karbonju [CS]

Inqas minn jew daqs5e +16 at / cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Densità tal-fossa tal-inċiżjoni (densità tad-diżlokazzjoni)

Inqas minn jew daqs500 cm-2

Tekniki tal-inċiżjoni preferenzjali(ASTM F47-88)

Orjentazzjoni tal-wiċċ

<100>± 3 grad

Metodu ta 'diffrazzjoni tar-raġġi X (ASTM F26-1987)

Orjentazzjoni tal-ġnub tal-psewdo kwadru

<010>,<001>± 3 grad

Metodu ta 'diffrazzjoni tar-raġġi X (ASTM F26-1987)

 

2. Propjetajiet elettriċi

 

Proprjetà

Speċifikazzjoni

Metodu ta 'spezzjoni

Reżistività

0.2-2.0 ω.cm
0.5-3.5 ω.cm
1.0-7.0 ω.cm
1.5-12 ω.cm
4-sonda tar-reżistività
kejl

MCLT (Lifetime Carrier Minority)

Akbar minn jew daqs 1000 µs (reżistività > 1.0 ω.cm)
Akbar minn jew daqs 500 µs (reżistività < 1.0 ω.cm
Sinton BCT-400
Temporanju
(bil-livell ta 'injezzjoni: 5E14 cm-3)

 

3.Geometry

 

Proprjetà

Speċifikazzjoni

Metodu ta 'spezzjoni

Ġeometrija

Quasi Square
Vernier Caliper
Dijametru
210 ± 0.25 mm
Vernier Caliper
Ċatt għal ċatt
156.75 ± 0.25 mm
Vernier Caliper
Tul tal-kantuniera
8.5 ± 0.5mm
Pjazza / ħakkiem tas-sedil wiesa '
Angularità

90 grad ± 0.2 grad

Angolu ħakkiem
Forma tal-kantuniera
Forma tonda
Spezzjoni viżwali
Perpendicularit
Inqas minn jew daqs 0.8 mm
 

TTV (varjazzjoni totali tal-ħxuna)

Inqas minn jew daqs 27 µm

Sistema ta 'spezzjoni tal-wejfer

 

image 31

 

4.Propjetajiet tal-wiċċ

 

Proprjetà

Speċifikazzjoni

Metodu ta 'spezzjoni

Qualit tal-wiċċ
Stain, żejt, scratch, crack, fossa, bump,
Pinhole u difett twin mhumiex
permess
Spezzjoni viżwali
Ċippa
Ċippa tal-wiċċ mhix permessa;
ARRIS: Iċ-ċipep mhumiex konsekuttivi:
Inqas minn 10 fuq l-arris, dia inqas minn jew daqs 0.3mm;
Ħakkiem
Wiċċ imqaxxar
Wiċċ tal-pjan: RA inqas minn jew daqs 0.6um;
Wiċċ cambered: ra inqas minn jew daqs 1.0um
Meter tal-ħruxija tal-wiċċ

 

 

 

 

It-tags Popolari: Speċifikazzjoni tal-wejfer tas-silikon monokristallina tat-tip N, Ċina, fornituri, manifatturi, fabbrika, magħmula fiċ-Ċina

Ibgħat l-inkjesta
Ibgħat l-inkjesta