Din l-ispeċifikazzjoni tiddefinixxi wejfers tas-silikon monokristallini tat-tip N (daqs M10) għal ċelloli solari avvanzati. Prodott permezz tal-metodu czochralski bid-doping tal-fosfru, il-wejfers għandhom konċentrazzjoni baxxa ta 'ossiġenu (sa 8e17 At / cm³), konċentrazzjoni baxxa tal-karbonju (sa 5E16 At / cm³), densità tal-fossa tal-etch sa 500 cm⁻², u orjentazzjoni tal-wiċċ preċiża fi 3 gradi ta'<100>.
Il-proprjetajiet elettriċi ewlenin jinkludu firxa ta 'reżistività ta' 1.0 sa 7.0 ω.cm u l-ħajja għolja ta 'trasportatur ta' minoranza għolja (minimu ta '1000 μs).
Il-wejfers għandhom ġeometrija psewdo-kwadru ottimizzata b'tul tal-ġenb 182 mm (tolleranza ta '0.25 mm), dijametru 247 mm (tolleranza ta' 0.25 mm), u naħat li jmissu magħhom f'90 grad (tolleranza 0.2 gradi). Disponibbli fi ħxuna minn 150 sa 180 μm (bit-tolleranzi), dawn jiżguraw varjazzjoni minima ta 'ħxuna (TTV massimu ta' 27 μm). Il-kwalità tal-wiċċ hija kkontrollata strettament ("kif maqtugħ u mnaddfa"), li tipprojbixxi kontaminazzjoni u mikro-cracks, b'limiti fuq marki ta 'serrieq (massimu ta' 15 μm), pruwa, u medd (massimu ta '40 μm kull wieħed). Dan il-format kbir jappoġġja l-bidla tal-industrija lejn qbid tad-dawl ottimizzat.
1. Propjetajiet tal-materjal
|
Proprjetà |
Speċifikazzjoni |
Metodu ta 'spezzjoni |
|
Metodu ta 'tkabbir |
Cz |
|
|
Kristallinità |
Monokristallin |
Tekniki tal-inċiżjoni preferenzjali(ASTM F47-88) |
|
Tip ta 'konduttività |
Tip n |
Napson EC-80TPN |
|
Dopant |
Fosfru |
- |
|
Konċentrazzjoni ta 'ossiġnu [OI] |
Inqas minn jew daqs8e +17 at / cm3 |
FTIR (ASTM F121-83) |
|
Konċentrazzjoni tal-Karbonju [CS] |
Inqas minn jew daqs5e +16 at / cm3 |
FTIR (ASTM F123-91) |
|
Densità tal-fossa tal-inċiżjoni (densità tad-diżlokazzjoni) |
Inqas minn jew daqs500 cm-2 |
Tekniki tal-inċiżjoni preferenzjali(ASTM F47-88) |
|
Orjentazzjoni tal-wiċċ |
<100>± 3 grad |
Metodu ta 'diffrazzjoni tar-raġġi X (ASTM F26-1987) |
|
Orjentazzjoni tal-ġnub tal-psewdo kwadru |
<010>,<001>± 3 grad |
Metodu ta 'diffrazzjoni tar-raġġi X (ASTM F26-1987) |
2. Propjetajiet elettriċi
|
Proprjetà |
Speċifikazzjoni |
Metodu ta 'spezzjoni |
|
Reżistività |
1.0-7.0 ω.cm
|
Sistema ta 'spezzjoni tal-wejfer |
|
MCLT (Lifetime Carrier Minority) |
Akbar minn jew daqs 1000 µ |
Sinton BCT-400
Temporanju
(bil-livell ta 'injezzjoni: 5E14 cm-3)
|
3.Geometry
|
Proprjetà |
Speċifikazzjoni |
Metodu ta 'spezzjoni |
|
Ġeometrija |
Psewdo kwadru |
|
|
Forma tat-tarf taċ-ċanfrin
|
tond | |
|
Wafer tul tal-ġenb |
182 ± 0.25 mm
|
Sistema ta 'spezzjoni tal-wejfer |
|
Dijametru tal-wejfer |
φ247 ± 0.25 mm |
Sistema ta 'spezzjoni tal-wejfer |
|
Angolu bejn naħat li jmissu magħhom |
90 grad ± 0.2 grad |
Sistema ta 'spezzjoni tal-wejfer |
|
Ħxuna |
180 ﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
165﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 10/﹣10 µm
|
Sistema ta 'spezzjoni tal-wejfer |
|
TTV (varjazzjoni totali tal-ħxuna) |
Inqas minn jew daqs 27 µm |
Sistema ta 'spezzjoni tal-wejfer |
4.Propjetajiet tal-wiċċ
|
Proprjetà |
Speċifikazzjoni |
Metodu ta 'spezzjoni |
|
Metodu ta 'qtugħ |
DW |
-- |
|
Kwalità tal-wiċċ |
Kif maqtugħ u mnaddaf, l-ebda kontaminazzjoni viżibbli, (żejt jew grass, stampi tas-swaba ', tbajja tas-sapun, tbajja tad-demel likwidu, tbajja epossidika / kolla mhumiex permessi) |
Sistema ta 'spezzjoni tal-wejfer |
|
SAW MARKS / PASSI |
Inqas minn jew daqs 15µm |
Sistema ta 'spezzjoni tal-wejfer |
|
Pruwa |
Inqas minn jew daqs 40 µm |
Sistema ta 'spezzjoni tal-wejfer |
|
Medd |
Inqas minn jew daqs 40 µm |
Sistema ta 'spezzjoni tal-wejfer |
|
Ċippa |
fond inqas minn jew daqs 0.3mm u tul inqas minn jew daqs 0.5mm max 2 / pcs; L-ebda V-Chip |
Għajnejn mikxufa jew sistema ta 'spezzjoni tal-wejfer |
|
Mikro xquq / toqob |
Mhux permess |
Sistema ta 'spezzjoni tal-wejfer |
It-tags Popolari: Speċifikazzjoni tal-wejfer tas-silikon monokristallina tat-tip N10, iċ-Ċina, fornituri, manifatturi, fabbrika, magħmula fiċ-Ċina
