Il-fluss tal-produzzjoni tal-wejfers monokristallin jikkonsisti fi proċeduri ta' qtugħ, tindif u separazzjoni. Bħalissa, aktar minn 80% tal-kapaċità dinjija tal-produzzjoni tal-kristall Cz-Si għall-PV hija ddedikata għall-E.
1 Proprjetajiet materjali
Proprjetà | Speċifikazzjoni | Metodu ta' Spezzjoni |
Metodu ta' tkabbir | CZ | |
Kristallinità | Monokristallina
| Tekniki preferenzjali tal-Inċiżjoni（ASTM F47-88） |
Tip ta' konduttività | Tip ta' P | Napson EC-80TPN P/N |
Dopant
| Boron, Gallju
| - |
Konċentrazzjoni tal-ossiġnu[Oi] | ≦9E+17 f'/ċm3 | FTIR (ASTM F121-83) |
Konċentrazzjoni tal-karbonju[Cs] | ≦5E+16 f'/ċm3 | FTIR (ASTM F123-91) |
Densità tal-fossa tal-inċiżjoni (densità tad-dislokazzjoni) | ≦500 ċm-3 | Tekniki preferenzjali tal-Inċiżjoni（ASTM F47-88） |
Orjentazzjoni tal-wiċċ | <100>±3° | Metodu ta' Diffrazzjoni tar-Raġġi X (ASTM F26-1987) |
Orjentazzjoni tal-ġnub kwadri psewdo | <010>,<001>±3° | Metodu ta' Diffrazzjoni tar-Raġġi X (ASTM F26-1987) |
2 Proprjetajiet elettriċi
Proprjetà | Speċifikazzjoni | Metodu ta' Spezzjoni |
Reżistività | 1-3 Ωcm (Wara t-ttema' | Sistema ta' spezzjoni tal-wejfers |
MCLT (ħajja minoritarja tat-trasportatur) | ≧20 μs | Sinton QSSPC |
3 Ġeometrija
Proprjetà | Speċifikazzjoni | Metodu ta' Spezzjoni |
Ġeometrija | Kwadru tal-psewdo | |
Forma tax-xifer taċ-ċanfrin | Tond | |
Daqs tal-wejfer (Tul tal-ġenb*tul tal-ġenb * dijametru | M0: 156 * 156 * φ210 mm M1: 156.75 * 156.75 * φ205mm M2: 156.75 * 156.75 * φ210 mm | Sistema ta' spezzjoni tal-wejfers |
Angolu bejn il-ġnub ta' ħdejhom | 90±3° | Sistema ta' spezzjoni tal-wejfers |
It-tags Popolari: P Tip 156mm Monokristallin Solari Wafer, iċ-Ċina, fornituri, manifatturi, fabbrika, magħmula fiċ-Ċina
