4H Semi-wejfer SiC iżolanti

4H Semi-wejfer SiC iżolanti

Is-sottostrati tas-SiC semi-iżolanti joffru resistività għolja u proprjetajiet termali eċċellenti, li jagħmluhom adattati għal tkabbir eteroepitaxjali GaN u applikazzjonijiet ta' semikondutturi RF-frekwenza għolja. Bħala substrat SiC ta'-prestazzjoni għolja, huwa użat ħafna għal apparati bbażati fuq HEMT-f'sistemi ta' komunikazzjoni avvanzati, inkluża infrastruttura 5G. Dawn il-wejfers tas-SiC semi{-insulanti jipprovdu wkoll proprjetajiet ottiċi u materjali eċċellenti, li jappoġġaw applikazzjonijiet emerġenti fl-optoelettronika u elettronika li jintlibes. 12-applikazzjonijiet potenzjali tal-ħġieġ ta' ġenerazzjoni{9} AR{9}offerta bħal applikazzjonijiet ta' ġenerazzjoni li jmiss{9}AR apparat ottiku avvanzat ieħor.
Share to
Ibgħat l-inkjesta
Chat Now
Deskrizzjoni
Parametri tekniċi

 

Introduzzjoni tal-Prodotti

 

 

Is-sottostrati tas-SiC semi-iżolanti joffru resistività għolja u proprjetajiet termali eċċellenti, li jagħmluhom adattati għal tkabbir eteroepitaxjali GaN u applikazzjonijiet ta' semikondutturi RF-frekwenza għolja. Bħala-prestazzjoni għoljaSostrat tas-SiC, tintuża ħafna għal apparati bbażati fuq HEMT-f'sistemi ta' komunikazzjoni avvanzati, inkluża l-infrastruttura 5G.

 

Dawn semi-insulantiWejfers tas-SiCjipprovdu wkoll proprjetajiet ottiċi u materjali eċċellenti, li jappoġġaw applikazzjonijiet emerġenti fl-optoelectronics u l-elettronika li jintlibes. 12-sustrati SiC tal-pulzier joffru potenzjal għal applikazzjonijiet tal--ġenerazzjoni li jmiss bħal nuċċalijiet AR u apparat ottiku avvanzat ieħor.

 

 

 

Speċifikazzjonijiet

 

 

 

product-1-1

 

6-il pulzier
Dijametru 150.0mm+0mm/-0.2mm
Orjentazzjoni tal-wiċċ {0001}±0.2 grad
Orjentazzjoni Ċatta Primarja /
Orjentazzjoni Ċatta Sekondarja /
Tul Ċatt Primarju Talja
Tul Ċatt Sekondarju Xejn
Orjentazzjoni talja <1100>± 1.0 grad
Fond talja Xejn1mm+0.25mm/-0mm mit-tarf
Angolu tal-Notch 90 grad +5 grad /-1 grad
Ħxuna 500.0um±25.0um
Tip Semi-insulanti

 

 

 

 

 

8-il pulzier
Dijametru 200.0mm+0mm/-0.5mm
Orjentazzjoni tal-wiċċ {0001}±0.2 grad
Orjentazzjoni Ċatta Primarja /
Orjentazzjoni Ċatta Sekondarja /
Tul Ċatt Primarju Talja
Tul Ċatt Sekondarju Xejn
Orjentazzjoni talja <1100>± 1.0 grad
Fond talja Xejn1mm+0.25mm/-0mm mit-tarf
Angolu tal-Notch 90 grad +5 grad /-1 grad
Ħxuna 500.0um±25.0um
Tip Semi-insulanti

 

 

product-1-1

 

 

 

product-1-1
12-il pulzier
Dijametru 300.0mm+0mm/-0.5mm
Orjentazzjoni tal-wiċċ {0001}± 0.5 grad
Orjentazzjoni Ċatta Primarja /
Orjentazzjoni Ċatta Sekondarja /
Tul Ċatt Primarju Talja
Tul Ċatt Sekondarju Xejn
Orjentazzjoni talja <1100>± 5.0 grad
Fond talja Xejn1mm+0.25mm/-0mm mit-tarf
Angolu tal-Notch 90 grad +5 grad /-1 grad
Ħxuna 750.0um±25.0um
Tip Semi-insulanti

 

 

Ċertifikat

 

 

 

1







 

It-tags Popolari: 4H Semi-wejfer SiC iżolanti, iċ-Ċina, fornituri, manifatturi, fabbrika, magħmula fiċ-Ċina

Ibgħat l-inkjesta
Ibgħat l-inkjesta